SLC NAND（单层单元闪存）是一种每个存储单元仅保存1位数据（0或1）的闪存技术，采用双状态（已擦除/已编程）实现数据存储。兆易创新是全球唯一一家在
NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型
DRAM和微控制器（
MCU）四大细分领域均能跻身全球前十的芯片设计公司。原生SLC NAND的晶片成本约为TLC的16倍，单芯片最大容量长期落后于多阶存储技术，2025年主流SLC产品容量集中在16Gb-64Gb区间。其写入速度可达同容量
MLC NAND的2.5倍，重复写入次数达6万至10万次，在工业设备、服务器及车载系统等高可靠性场景中具有不可替代性。
东芝2008年推出的43nm制程SLC NAND单芯片容量达16Gb，开创了当时业内最高密度水平。随着技术进步，
铠侠等厂商持续开发支持ECC功能的BENAND™等新型号，行业开发出伪SLC（pSLC）技术，将擦写寿命提升至3万-6万次，成本降至原生SLC的1/3。受2D NAND Flash晶圆产能紧缺影响，2025年下半年SLC产品出现15%以上的市场溢价，在AI算力浪潮下，强劲的需求增长与有限的供应扩张之间形成供需错配，主要存储厂商将资源投入
HBM与
DDR5等产品，导致SLC NAND Flash供应缺口扩大，价格显著上涨。
原生SLC NAND的晶片成本约为TLC的16倍，单芯片最大容量长期落后于多阶存储技术。2025年主流SLC产品容量集中在16Gb-64Gb区间。在AI算力浪潮下，强劲的需求增长与有限的供应扩张之间形成供需错配，主要存储厂商将资源投入
HBM与
DDR5等产品，导致SLC NAND Flash供应缺口急剧扩大，价格出现显著上涨。受2D NAND Flash晶圆产能紧缺影响，2025年下半年SLC产品出现15%以上的市场溢价。
为平衡成本与性能，行业开发出伪SLC（pSLC）技术：通过限制3D TLC NAND仅使用双状态模式，将擦写寿命提升至3万-6万次，成本降至原生SLC的1/3。铠侠推出的BENAND™系列内置ECC纠错功能，在保留RAW SLC接口兼容性的同时降低主控芯片负载。